Продукція > ONSEMI > NSTB60BDW1T1G
NSTB60BDW1T1G

NSTB60BDW1T1G onsemi

nstb60bdw1t1-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.42 грн
6000+ 3.05 грн
9000+ 2.53 грн
30000+ 2.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSTB60BDW1T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 150mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: NSTB60 Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSTB60BDW1T1G за ціною від 2.58 грн до 24.31 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.86 грн
3000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 500
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G Виробник : onsemi nstb60bdw1t1-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN Pre-Biased, 1 PNP
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 150mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V / 120 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Resistor - Base (R1): 22kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
на замовлення 60330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+20.35 грн
22+ 13.43 грн
100+ 6.56 грн
500+ 5.13 грн
1000+ 3.56 грн
Мінімальне замовлення: 15
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G Виробник : onsemi NSTB60BDW1T1_D-2318519.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased SS GP XSTR NPN
на замовлення 8477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.66 грн
17+ 18.91 грн
100+ 8.71 грн
500+ 5.78 грн
1000+ 3.9 грн
3000+ 3 грн
9000+ 2.58 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSTB60BDW1T1G NSTB60BDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300583-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 150 mA, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 150mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: NSTB60 Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
33+24.31 грн
48+ 16.57 грн
121+ 6.48 грн
500+ 3.86 грн
3000+ 2.75 грн
Мінімальне замовлення: 33
NSTB60BDW1T1G nstb60bdw1t1-d.pdf
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSTB60BDW1T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0000738392-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSTB60BDW1T1G - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)