NSS60600MZ4T3G

NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor


nss60600mz4-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS60600MZ4T3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261), Current - Collector (Ic) (Max): 6 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V, Power - Max: 800 mW.

Інші пропозиції NSS60600MZ4T3G за ціною від 12.06 грн до 45.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+14.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi nss60600mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 350mV @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 7915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+43.72 грн
10+ 35.57 грн
100+ 24.75 грн
500+ 18.14 грн
1000+ 14.74 грн
2000+ 13.18 грн
Мінімальне замовлення: 7
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : onsemi NSS60600MZ4_D-2318291.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 60V 6.0A
на замовлення 15750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.37 грн
10+ 38.63 грн
100+ 25.09 грн
500+ 19.72 грн
1000+ 15.26 грн
4000+ 13.87 грн
8000+ 12.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS60600MZ4T3G nss60600mz4-d.pdf
на замовлення 3340 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSS60600MZ4T3G NSS60600MZ4T3G Виробник : ON Semiconductor nss60600mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 6A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній