NSS40500UW3T2G

NSS40500UW3T2G ON Semiconductor


nss40500uw3-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+19.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40500UW3T2G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 5 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 875 mW.

Інші пропозиції NSS40500UW3T2G за ціною від 11.61 грн до 42.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+21.28 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi NSS40500UW3_D-2318350.pdf Bipolar Transistors - BJT 2 2 LOW VCE(SAT) TR
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.26 грн
10+ 35.66 грн
100+ 22.39 грн
500+ 17.66 грн
1000+ 14.46 грн
3000+ 12.37 грн
9000+ 11.61 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
на замовлення 4545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.87 грн
10+ 35.05 грн
100+ 24.35 грн
500+ 17.84 грн
1000+ 14.5 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NSS40500UW3T2G nss40500uw3-d.pdf
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : ON Semiconductor nss40500uw3-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 5A 1500mW Automotive 3-Pin WDFN EP T/R
товар відсутній
NSS40500UW3T2G NSS40500UW3T2G Виробник : onsemi nss40500uw3-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 5A 3WDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 260mV @ 400mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-WDFN (2x2)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 875 mW
товар відсутній