Продукція > ONSEMI > NSS40301MDR2G
NSS40301MDR2G

NSS40301MDR2G onsemi

NSS40301MD_D-2318325.pdf Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT MATCHED LO VCE(SAT) SOIC8
на замовлення 22521 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+52.2 грн
10+ 48.09 грн
100+ 31.78 грн
500+ 28.71 грн
1000+ 25.51 грн
2500+ 21.6 грн
5000+ 20.56 грн
Мінімальне замовлення: 7
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40301MDR2G onsemi

Description: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 NPN (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 653mW, Current - Collector (Ic) (Max): 3A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 8-SOIC, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSS40301MDR2G за ціною від 25.15 грн до 64.83 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G Виробник : onsemi nss40301md-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+64.83 грн
10+ 54.45 грн
100+ 37.69 грн
500+ 29.55 грн
1000+ 25.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
NSS40301MDR2G nss40301md-d.pdf
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40301md-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G Виробник : ON Semiconductor nss40301md-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 783mW Automotive 8-Pin SOIC N T/R
товар відсутній
NSS40301MDR2G NSS40301MDR2G Виробник : onsemi nss40301md-d.pdf Description: TRANS 2NPN 40V 3A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 653mW
Current - Collector (Ic) (Max): 3A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
товар відсутній