Продукція > ONSEMI > NSS40300MZ4T1G
NSS40300MZ4T1G

NSS40300MZ4T1G onsemi

nss40300mz4-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+16 грн
2000+ 13.77 грн
5000+ 13.07 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS40300MZ4T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 160MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS40300MZ4T1G за ціною від 11.57 грн до 45.89 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+24.86 грн
500+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : onsemi NSS40300MZ4_D-2318289.pdf Bipolar Transistors - BJT LO V PNP TRANSISTOR 40V 3.0A
на замовлення 2419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+40.08 грн
10+ 33.98 грн
100+ 21.4 грн
500+ 17.21 грн
1000+ 13.8 грн
2000+ 12.2 грн
10000+ 11.57 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
297+40.74 грн
384+ 31.49 грн
388+ 31.21 грн
500+ 24.33 грн
1000+ 14.85 грн
3000+ 14.11 грн
Мінімальне замовлення: 297
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : onsemi nss40300mz4-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 175 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 9227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
10+ 34.92 грн
100+ 24.28 грн
500+ 17.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+43.56 грн
16+ 38.15 грн
25+ 37.83 грн
100+ 28.2 грн
250+ 25.87 грн
500+ 20.08 грн
1000+ 13.24 грн
3000+ 13.11 грн
Мінімальне замовлення: 14
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013300443-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NSS40300MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 160MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 5705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+45.89 грн
21+ 38.07 грн
100+ 24.86 грн
500+ 18.51 грн
Мінімальне замовлення: 18
NSS40300MZ4T1G Виробник : ON nss40300mz4-d.pdf
на замовлення 41500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS40300MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf
на замовлення 31720 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NSS40300MZ4T1G NSS40300MZ4T1G Виробник : ON Semiconductor nss40300mz4-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній