Продукція > ONSEMI > NSS35200MR6T1G
NSS35200MR6T1G

NSS35200MR6T1G onsemi

nss35200mr6-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS35200MR6T1G onsemi

Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: 6-TSOP, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 2 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V, Power - Max: 625 mW.

Інші пропозиції NSS35200MR6T1G за ціною від 12.02 грн до 45.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Виробник : onsemi nss35200mr6-d.pdf Description: TRANS PNP 35V 2A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 310mV @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 35 V
Power - Max: 625 mW
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.06 грн
10+ 33.9 грн
100+ 23.57 грн
500+ 17.27 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS35200MR6T1G NSS35200MR6T1G Виробник : onsemi NSS35200MR6_D-2318605.pdf Bipolar Transistors - BJT 2A 35V Low VCEsat
на замовлення 3696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+45.76 грн
10+ 38.39 грн
100+ 25.02 грн
500+ 19.61 грн
1000+ 15.32 грн
3000+ 13 грн
9000+ 12.02 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSS35200MR6T1G Виробник : ON nss35200mr6-d.pdf 07+;
на замовлення 8600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)