![NSS20200LT1G NSS20200LT1G](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/cdbbcd5b550f69cb57198f33704acb75e5ea1be2/sot-23.jpg)
NSS20200LT1G ON Semiconductor
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 6.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS20200LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NSS20200LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 20 V, 2 A, 710 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300, hazardous: true, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 710, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NSS20200LT1G за ціною від 5.58 грн до 28.69 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 180mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 460 mW |
на замовлення 20910 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 15498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300 hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 710 Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NSS20200LT1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |