NSS1C300ET4G onsemi
Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 2.1 W
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 25 грн |
5000+ | 22.93 грн |
12500+ | 21.87 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS1C300ET4G onsemi
Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 50, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 33, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 100, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NSS1C300ET4G за ціною від 22.16 грн до 65.05 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSS1C300ET4G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 3A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 300mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 2.1 W |
на замовлення 28589 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100 V, 3 A, Low VCE(sat) PNP Transistor |
на замовлення 4455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : ON Semiconductor |
на замовлення 1863 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 33 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 3 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C300ET4G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 3 A, 33 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 50 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 33 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NSS1C300ET4G | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 3A 2100mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |