Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NSS1C201LT1G
NSS1C201LT1G

NSS1C201LT1G ON Semiconductor

nss1c201l-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 100V 2A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSS1C201LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 2A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 490mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 110MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSS1C201LT1G за ціною від 7.32 грн до 35.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+9.49 грн
6000+ 8.75 грн
9000+ 7.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi nss1c201l-d.pdf Description: TRANS NPN 100V 2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 110MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 490 mW
на замовлення 21803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+34.68 грн
12+ 26.28 грн
100+ 15.76 грн
500+ 13.69 грн
1000+ 9.31 грн
Мінімальне замовлення: 9
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : onsemi NSS1C201L_D-2318370.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 100V LOW V-SAT SOT23
на замовлення 114449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+35.53 грн
12+ 27.89 грн
100+ 13.17 грн
1000+ 10.11 грн
3000+ 8.01 грн
9000+ 7.81 грн
24000+ 7.32 грн
Мінімальне замовлення: 10
NSS1C201LT1G NSS1C201LT1G Виробник : ONSEMI 2237006.pdf Description: ONSEMI - NSS1C201LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 2 A, 490 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 2A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 490mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 110MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 10590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
22+35.96 грн
29+ 27.83 грн
100+ 11.88 грн
500+ 10.82 грн
Мінімальне замовлення: 22
NSS1C201LT1G nss1c201l-d.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)