NSS1C200MZ4T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PNP 100V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 17.11 грн |
| 2000+ | 14.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS1C200MZ4T1G onsemi
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 150, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 2, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 120, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції NSS1C200MZ4T1G за ціною від 14.5 грн до 54.73 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 2 euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 2 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 100V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 220mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW |
на замовлення 6069 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT PNP SOT223 BIP POWER TRAN |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 129-138 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSS1C200MZ4T1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 150 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 2 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 2 Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4 Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 120 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 155 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSS1C200MZ4T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 100V 2A 2000mW Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| NSS1C200MZ4T1G | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT |
товар відсутній |