NSS12100XV6T1G ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 9.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSS12100XV6T1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V, Supplier Device Package: SOT-563, Current - Collector (Ic) (Max): 1 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 500 mW.
Інші пропозиції NSS12100XV6T1G за ціною від 8.9 грн до 33.04 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NSS12100XV6T1G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS12100XV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Polarisation: bipolar Case: SOT563 Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 1A Type of transistor: PNP |
на замовлення 111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSS12100XV6T1G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 12V PNP LOW VCE(SAT) XTR |
на замовлення 9705 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS12100XV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PNP 12V 1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 440mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 2V Supplier Device Package: SOT-563 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 12172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NSS12100XV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 12V; 1A; 0.65W; SOT563 Polarisation: bipolar Case: SOT563 Application: automotive industry Power dissipation: 0.65W Kind of package: reel; tape Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 12V Collector current: 1A Type of transistor: PNP кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 111 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|