NSF080120L3A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 183W
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W
Technology: SiC
Mounting: THT
Case: TO247-3
Power dissipation: 183W
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 80A
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 25A
On-state resistance: 0.12Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 52nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 945.03 грн |
2+ | 802.12 грн |
3+ | 758.51 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF080120L3A0Q NEXPERIA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W, Technology: SiC, Mounting: THT, Case: TO247-3, Power dissipation: 183W, Kind of package: tube, Pulsed drain current: 80A, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 25A, On-state resistance: 0.12Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 52nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -10...22V, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NSF080120L3A0Q за ціною від 703.33 грн до 1134.04 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia | MOSFET BIPOLAR |
на замовлення 328 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 25A; Idm: 80A; 183W Technology: SiC Mounting: THT Case: TO247-3 Power dissipation: 183W Kind of package: tube Pulsed drain current: 80A Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 25A On-state resistance: 0.12Ω Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 52nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...22V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF080120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 80MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
товару немає в наявності |