NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Виробник: NEXPERIA
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 313W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 95nC
Technology: SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -10...22V
Pulsed drain current: 160A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 46A
On-state resistance: 60mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1325.14 грн |
2+ | 1163.7 грн |
3+ | 1162.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSF040120L3A0Q NEXPERIA
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W, Mounting: THT, Kind of package: tube, Power dissipation: 313W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 95nC, Technology: SiC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: -10...22V, Pulsed drain current: 160A, Case: TO247-3, Drain-source voltage: 1.2kV, Drain current: 46A, On-state resistance: 60mΩ, Type of transistor: N-MOSFET, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції NSF040120L3A0Q за ціною від 1076.73 грн до 1596.86 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: SIC MOSFET / 40MOHM / 1200V / TO Packaging: Tube |
на замовлення 412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Виробник : NEXPERIA |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 46A; Idm: 160A; 313W Mounting: THT Kind of package: tube Power dissipation: 313W Polarisation: unipolar Gate charge: 95nC Technology: SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -10...22V Pulsed drain current: 160A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 46A On-state resistance: 60mΩ Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||
NSF040120L3A0Q | Виробник : Nexperia | MOSFET BIPOLAR |
на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|