Продукція > ONSEMI > NSBC143ZDXV6T1G
NSBC143ZDXV6T1G

NSBC143ZDXV6T1G onsemi

dtc143zd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBC143ZDXV6T1G onsemi

Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 500mW, Bauform - Transistor: SOT-563, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSBC143ZDXV6T1G за ціною від 3.76 грн до 34.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ONSEMI 2907498.pdf Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+9.3 грн
500+ 5.15 грн
4000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 7998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+29.4 грн
15+ 19.89 грн
100+ 10.05 грн
500+ 7.7 грн
1000+ 5.71 грн
2000+ 4.81 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : onsemi DTC143ZD_D-2310787.pdf Digital Transistors SOT-563 DUAL 4.7/47 K OH
на замовлення 38900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+30.25 грн
15+ 21.88 грн
100+ 7.88 грн
1000+ 4.95 грн
4000+ 4.88 грн
8000+ 4.04 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ONSEMI 2907498.pdf Description: ONSEMI - NSBC143ZDXV6T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+34.16 грн
33+ 24 грн
100+ 9.3 грн
500+ 5.15 грн
4000+ 3.89 грн
Мінімальне замовлення: 23
NSBC143ZDXV6T1G NSBC143ZDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній