Продукція > ONSEMI > NSBA114YDXV6T1G
NSBA114YDXV6T1G

NSBA114YDXV6T1G onsemi

dta114yd-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+8.6 грн
8000+ 7.82 грн
12000+ 7.13 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114YDXV6T1G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.

Інші пропозиції NSBA114YDXV6T1G за ціною від 3.76 грн до 38.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G Виробник : onsemi DTA114YD_D-2310943.pdf Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP
на замовлення 1167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+31.79 грн
15+ 21.88 грн
100+ 7.88 грн
1000+ 4.95 грн
4000+ 4.88 грн
8000+ 4.04 грн
24000+ 3.76 грн
Мінімальне замовлення: 11
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G Виробник : onsemi dta114yd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+38.45 грн
11+ 28.09 грн
100+ 17.49 грн
500+ 11.23 грн
1000+ 8.64 грн
2000+ 7.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
NSBA114YDXV6T1G Виробник : ONSEMI RE_DSHEET_NSBA114YDXV6T1G-ROC.pdf?t.download=true&u=h6ohhb Description: ONSEMI - NSBA114YDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 235650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBA114YDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor dta114yd-d.pdf
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor nsba114edxv6-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NSBA114YDXV6T1G NSBA114YDXV6T1G Виробник : ON Semiconductor nsba114edxv6-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній