Продукція > ONSEMI > NSBA114TDP6T5G
NSBA114TDP6T5G

NSBA114TDP6T5G onsemi

dta114td-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 4890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+25.63 грн
15+ 19.53 грн
100+ 11.7 грн
500+ 10.16 грн
1000+ 6.91 грн
2000+ 6.36 грн
Мінімальне замовлення: 12
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA114TDP6T5G onsemi

Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-963, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 408mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-963.

Інші пропозиції NSBA114TDP6T5G за ціною від 6.72 грн до 6.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBA114TDP6T5G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003157575-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - NSBA114TDP6T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 296000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Виробник : ON Semiconductor nsba114edp6.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Виробник : ON Semiconductor nsba114edp6.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 408mW 6-Pin SOT-963 T/R
товар відсутній
NSBA114TDP6T5G NSBA114TDP6T5G Виробник : onsemi dta114td-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 408mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-963
товар відсутній
NSBA114TDP6T5G Виробник : onsemi DTA114TD_D-2310716.pdf Digital Transistors DUAL PBRT
товар відсутній