NSBA114EDXV6T1G onsemi
Виробник: onsemiDescription: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 500mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 10kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 5.27 грн |
| 8000+ | 4.85 грн |
| 12000+ | 4.19 грн |
| 28000+ | 3.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSBA114EDXV6T1G onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual), Power - Max: 500mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V, Resistor - Base (R1): 10kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Active.
Інші пропозиції NSBA114EDXV6T1G за ціною від 3.76 грн до 30.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
NSBA114EDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2PNP 50V SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 500mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NSBA114EDXV6T1G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V Dual PNP |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| NSBA114EDXV6T1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NSBA114EDXV6T1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 107250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| NSBA114EDXV6T1G |
|
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
 |
NSBA114EDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NSBA114EDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NSBA114EDXV6T1G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 500mW 6-Pin SOT-563 T/R |
товар відсутній |