Продукція > ONSEMI > NSBA113EF3T5G

NSBA113EF3T5G ONSEMI

ONSM-S-A0002809032-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 320000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 16000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NSBA113EF3T5G ONSEMI

Description: ONSEMI - NSBA113EF3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT, tariffCode: 85412900, productTraceability: No, rohsCompliant: YES, euEccn: NLR, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NSBA113EF3T5G

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NSBA113EF3T5G NSBA113EF3T5G Виробник : ON Semiconductor dta113e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 297mW 3-Pin SOT-1123 T/R
товар відсутній
NSBA113EF3T5G NSBA113EF3T5G Виробник : ON Semiconductor DTA113E-D.PDF Description: TRANS PREBIAS DUAL PNP
товар відсутній
NSBA113EF3T5G Виробник : ON Semiconductor DTA113E-D-260365.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR (B
товар відсутній