![NSB8MTHE3_B/P NSB8MTHE3_B/P](https://www.mouser.com/images/vishay/lrg/inhouse_nsb8jte345_t.jpg)
NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
на замовлення 3928 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 106.6 грн |
10+ | 86.49 грн |
100+ | 58.27 грн |
500+ | 49.34 грн |
1000+ | 40.13 грн |
2000+ | 37.81 грн |
5000+ | 35.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8MTHE3_B/P Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V.
Інші пропозиції NSB8MTHE3_B/P за ціною від 47.62 грн до 111.76 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSB8MTHE3_B/P | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NSB8MTHE3_B/P | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |