NSB8KT-E3/81 Vishay General Semiconductor
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 78.84 грн |
10+ | 63.11 грн |
100+ | 42.68 грн |
500+ | 36.96 грн |
800+ | 28.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8KT-E3/81 Vishay General Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V.
Інші пропозиції NSB8KT-E3/81
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NSB8KT-E3/81 | Виробник : Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
||
NSB8KT-E3/81 | Виробник : Vishay | Diode 800V 8A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R |
товар відсутній |
||
NSB8KT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
Description: DIODE GEN PURP 800V 8A TO263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 800 V |
товар відсутній |