![NSB8JT-E3/81 NSB8JT-E3/81](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2499/D²Pak,TO-263.jpg)
NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
![ns8xt.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK)
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
на замовлення 755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 73.75 грн |
10+ | 57.91 грн |
100+ | 45.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NSB8JT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 8A, Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK), Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
Інші пропозиції NSB8JT-E3/81 за ціною від 28.61 грн до 77.82 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor |
![]() |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
NSB8JT-E3/81 |
![]() |
на замовлення 49600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
NSB8JT-E3/81 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 55pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263AB (D²PAK) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
товар відсутній |