![NRVUS110VT3G NRVUS110VT3G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2577/MFG_488%7E403A-03%7EB%2C%20S%7E2.jpg)
NRVUS110VT3G onsemi
![murs120t3-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 6.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NRVUS110VT3G onsemi
Description: DIODE GEN PURP 100V 2A SMB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-214AA, SMB, Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 35 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 2A, Supplier Device Package: SMB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Grade: Automotive, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NRVUS110VT3G за ціною від 6.34 грн до 32.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NRVUS110VT3G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-214AA, SMB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 2A Supplier Device Package: SMB Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 875 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 100 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
NRVUS110VT3G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 9988 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
NRVUS110VT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
NRVUS110VT3G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NRVUS110VT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
NRVUS110VT3G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 100V; 1A; 75ns; SMB; Ufmax: 1.25V; Ifsm: 40A Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 100V Load current: 1A Reverse recovery time: 75ns Semiconductor structure: single diode Case: SMB Max. forward voltage: 1.25V Max. forward impulse current: 40A Kind of package: reel; tape Application: automotive industry |
товар відсутній |