Продукція > RENESAS ELECTRONICS CORPORATION > NP50P06SDG-E1-AY
NP50P06SDG-E1-AY

NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

np50p06sdg-data-sheet Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+69.61 грн
5000+ 64.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP50P06SDG-E1-AY Renesas Electronics Corporation

Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V.

Інші пропозиції NP50P06SDG-E1-AY за ціною від 62.99 грн до 167.9 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np50p06sdg-data-sheet Description: MOSFET P-CH 60V 50A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.2W (Ta), 84W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (MP-3ZK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 10 V
на замовлення 17861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+154.17 грн
10+ 123.47 грн
100+ 98.29 грн
500+ 78.04 грн
1000+ 66.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06SDG-E1-AY NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas Electronics r07ds1511ej0101_np50p06sdg-3075769.pdf MOSFET POWER TRS2 AUTOMOTIVE MOS MP-3ZK UMOS4 O
на замовлення 2078 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+167.9 грн
10+ 138.31 грн
100+ 95.94 грн
500+ 80.65 грн
1000+ 68.55 грн
2500+ 64.66 грн
5000+ 62.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
NP50P06SDG-E1-AY Виробник : Renesas np50p06sdg-data-sheet TO-252/P-channel MOS Field Effect Transistor POWERMOSFET
кількість в упаковці: 2500 шт
товар відсутній