Продукція > RENESAS > NP40N10PDF-E1-AY
NP40N10PDF-E1-AY

NP40N10PDF-E1-AY Renesas


2r07ds0361ej0201_pomosfet.pdf Виробник: Renesas
Trans MOSFET N-CH 100V 40A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NP40N10PDF-E1-AY Renesas

Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V.

Інші пропозиції NP40N10PDF-E1-AY

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NP40N10PDF-E1-AY NP40N10PDF-E1-AY Виробник : Renesas Electronics Corporation np40n10ydf-np40n10vdf-np40n10pdf-datasheet Description: MOSFET N-CH 100V 40A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3150 pF @ 25 V
товар відсутній