NJW3281G ON Semiconductor
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 360+ | 142.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJW3281G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 15A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 30MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NJW3281G за ціною від 123.35 грн до 318.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NJW3281G | Виробник : onsemi |
 Description: TRANS NPN 250V 15A TO3P-3LPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 3A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P-3L Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 200 W |
на замовлення 1970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200 W BETA AUDIO |
на замовлення 3729 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NJW3281G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 250 V, 15 A, 200 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 45hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 15A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 3035 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
| NJW3281G |
|
на замовлення 1290 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 250V 15A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
NJW3281G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
NJW3281G | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 250V; 15A; 200W; TO3P Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 250V Collector current: 15A Power dissipation: 200W Case: TO3P Current gain: 45...150 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz Application: automotive industry |
товар відсутній |