![NJVNJD35N04T4G NJVNJD35N04T4G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1069/DPAK_369C.jpg)
NJVNJD35N04T4G onsemi
![njd35n04-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V
Frequency - Transition: 90MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 45 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 28.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVNJD35N04T4G onsemi
Description: TRANS NPN DARL 350V 4A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V, Frequency - Transition: 90MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 4 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 45 W.
Інші пропозиції NJVNJD35N04T4G за ціною від 24.81 грн до 67.85 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
NJVNJD35N04T4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NJVNJD35N04T4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 2000 @ 2A, 2V Frequency - Transition: 90MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 45 W |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
NJVNJD35N04T4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |