Продукція > ONSEMI > NJVMJD31T4G
NJVMJD31T4G

NJVMJD31T4G onsemi

mjd31-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 627500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+15.24 грн
5000+ 13.9 грн
12500+ 12.87 грн
25000+ 11.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJVMJD31T4G onsemi

Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V, Power - Max: 1.56 W.

Інші пропозиції NJVMJD31T4G за ціною від 15.46 грн до 39.96 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJVMJD31T4G NJVMJD31T4G Виробник : onsemi mjd31-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 1.56 W
на замовлення 629375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+39.96 грн
10+ 33.47 грн
100+ 23.17 грн
500+ 18.16 грн
1000+ 15.46 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJVMJD31T4G NJVMJD31T4G Виробник : onsemi MJD31_D-2315971.pdf Bipolar Transistors - BJT BIP DPAK NPN 3A 40V TR
товар відсутній