![NJVMJD31CT4G NJVMJD31CT4G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2433/448%7E369C%7ED%2C%20DT%7E2.jpg)
NJVMJD31CT4G onsemi
![mjd31-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.56 W
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 49 грн |
10+ | 40.51 грн |
100+ | 28.04 грн |
500+ | 21.98 грн |
1000+ | 18.71 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NJVMJD31CT4G onsemi
Description: TRANS NPN 100V 3A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, Current - Collector Cutoff (Max): 50µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V, Frequency - Transition: 3MHz, Supplier Device Package: DPAK, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V, Power - Max: 1.56 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NJVMJD31CT4G за ціною від 15.96 грн до 51.39 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 375mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.56 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2316 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NJVMJD31CT4G | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK; automotive industry Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 3A Power dissipation: 15W Case: DPAK Current gain: 50 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 3MHz Application: automotive industry |
товар відсутній |