NJT4031NT1G

NJT4031NT1G ON Semiconductor


njt4031n-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+15.2 грн
Мінімальне замовлення: 1000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NJT4031NT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 100, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 3, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 215, Betriebstemperatur, max.: 150, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції NJT4031NT1G за ціною від 13.38 грн до 53.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.14 грн
2000+ 15.55 грн
5000+ 14.74 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+18.93 грн
2000+ 17.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+19.16 грн
2000+ 17.5 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.11 грн
2000+ 18.37 грн
5000+ 17.34 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+20.41 грн
2000+ 18.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1000+27.41 грн
5000+ 25.04 грн
10000+ 23.3 грн
15000+ 21.19 грн
Мінімальне замовлення: 1000
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi njt4031n-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 3A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261)
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.22 грн
10+ 35.5 грн
100+ 24.56 грн
500+ 19.26 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : onsemi NJT4031N_D-2318222.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN 40V LO SAT BP
на замовлення 36340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+44.64 грн
10+ 35.18 грн
100+ 23.42 грн
500+ 19.51 грн
1000+ 13.45 грн
2000+ 13.38 грн
Мінімальне замовлення: 8
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302418-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NJT4031NT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), AEC-Q101, NPN, 40 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 100
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 3
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 215
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+53.87 грн
18+ 45.5 грн
100+ 31.9 грн
500+ 23.67 грн
Мінімальне замовлення: 15
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній
NJT4031NT1G NJT4031NT1G Виробник : ON Semiconductor njt4031n-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товар відсутній