Продукція > NEXPERIA > NHDTC123JUF
NHDTC123JUF

NHDTC123JUF NEXPERIA

NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER.pdf Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 235mW
Bauform - Transistor: SC-70
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: NHDTC123JU Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
51+15.4 грн
73+ 10.79 грн
122+ 6.41 грн
500+ 4.07 грн
1000+ 2.01 грн
5000+ 1.94 грн
Мінімальне замовлення: 51
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NHDTC123JUF NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NHDTC123JUF - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 80 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 80V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 235mW, Bauform - Transistor: SC-70, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: NHDTC123JU Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NHDTC123JUF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NHDTC123JUF NHDTC123JUF Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER.pdf Description: NHDTC123JU/SOT323/SC-70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 235 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NHDTC123JUF NHDTC123JUF Виробник : Nexperia USA Inc. NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER.pdf Description: NHDTC123JU/SOT323/SC-70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 235 mW
Frequency - Transition: 170 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній
NHDTC123JUF NHDTC123JUF Виробник : Nexperia NHDTC123JU_143ZU_114YU_SER-1880086.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased NHDTC123JU/SOT323/SC-70
товар відсутній