![NGTG35N65FL2WG NGTG35N65FL2WG](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4849/488_TO-247-3.jpg)
NGTG35N65FL2WG onsemi
![ngtg35n65fl2w-d.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 260.84 грн |
30+ | 199.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTG35N65FL2WG onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції NGTG35N65FL2WG
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
NGTG35N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 212 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
NGTG35N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
NGTG35N65FL2WG | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |