Продукція > ONSEMI > NGTG35N65FL2WG
NGTG35N65FL2WG

NGTG35N65FL2WG onsemi


ngtg35n65fl2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns
Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 125 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 70 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 42 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+260.84 грн
30+ 199.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTG35N65FL2WG onsemi

Description: IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 72ns/132ns, Switching Energy: 840µJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 35A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 125 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 70 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.

Інші пропозиції NGTG35N65FL2WG

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTG35N65FL2WG NGTG35N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor NGTG35N65FL2W_D-1813131.pdf IGBT Transistors IGBT, 650V 35A FS2 Solar/UPS
на замовлення 212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTG35N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg35n65fl2w-d.pdf
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTG35N65FL2WG NGTG35N65FL2WG Виробник : ON Semiconductor ngtg35n65fl2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 70A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній