Продукція > ON SEMICONDUCTOR > NGTD20T120F2WP

NGTD20T120F2WP ON Semiconductor

ngtd20t120f2wp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V WJAR
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTD20T120F2WP ON Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE, Packaging: Bulk, Package / Case: Die, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: Die, IGBT Type: Trench Field Stop, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A.

Інші пропозиції NGTD20T120F2WP

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTD20T120F2WP Виробник : onsemi ngtd20t120f2wp-d.pdf Description: IGBT TRENCH FIELD STOP 1200V DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 100 A
товар відсутній
NGTD20T120F2WP Виробник : onsemi NGTD20T120F2WP_D-1773611.pdf IGBT Transistors 1200V/25A CN35 FAST IGBT UNSAWN WAFER SALES
товар відсутній