NGTB50N65FL2WAG onsemi
Виробник: onsemiDescription: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 94 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-247-4L
IGBT Type: Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns
Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 215 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 160 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 3330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 118+ | 179.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NGTB50N65FL2WAG onsemi
Description: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 94 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-247-4L, IGBT Type: Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns, Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off), Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 215 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 160 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 417 W.
Інші пропозиції NGTB50N65FL2WAG за ціною від 268.16 грн до 268.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGTB50N65FL2WAG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NGTB50N65FL2WAG - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 3330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
|
NGTB50N65FL2WAG Код товару: 154577 |
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 |
товар відсутній
|
|||||||
 |
NGTB50N65FL2WAG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 650V 160A 417000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
|||||
|
|
NGTB50N65FL2WAG | Виробник : onsemi |
Description: IGBT FIELD STOP 650V 160A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 94 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-247-4L IGBT Type: Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 23ns/123ns Switching Energy: 420µJ (on), 550µJ (off) Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 215 nC Current - Collector (Ic) (Max): 160 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A Power - Max: 417 W |
товар відсутній |
|||||
| NGTB50N65FL2WAG | Виробник : ON Semiconductor |
IGBT Transistors 650V/50 FAST IGBT FSII TO |
товар відсутній |