Продукція > ONSEMI > NGTB40N60L2WG
NGTB40N60L2WG

NGTB40N60L2WG onsemi


ngtb40n60l2w-d.pdf Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
на замовлення 2092 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
88+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 88
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NGTB40N60L2WG onsemi

Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 73 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns, Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off), Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 228 nC, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 80 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 417 W.

Інші пропозиції NGTB40N60L2WG за ціною від 334.61 грн до 334.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NGTB40N60L2WG NGTB40N60L2WG Виробник : ON Semiconductor NGTB40N60L2W_D-1813068.pdf IGBT Transistors 600V/40A FAST IGBT FSII T
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NGTB40N60L2WG Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013302803-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NGTB40N60L2WG - 600V-40A FAST IGBT FSII T
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
120+334.61 грн
Мінімальне замовлення: 120
NGTB40N60L2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb40n60l2w-d.pdf
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NGTB40N60L2WG NGTB40N60L2WG Виробник : ON Semiconductor ngtb40n60l2w-d.pdf Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 417000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товар відсутній
NGTB40N60L2WG NGTB40N60L2WG Виробник : onsemi ngtb40n60l2w-d.pdf Description: IGBT TRENCH/FS 600V 80A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 73 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.61V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 98ns/213ns
Switching Energy: 1.17mJ (on), 280µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 228 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 417 W
товар відсутній