NE85639-T1-A CEL
Виробник: CELDescription: SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-253-4, TO-253AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 13dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: SOT-143
Part Status: Obsolete
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 120.62 грн |
| 9000+ | 87.11 грн |
| 15000+ | 72.6 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE85639-T1-A CEL
Description: SAME AS 2SC4093 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-253-4, TO-253AA, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 13dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: SOT-143, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE85639-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE85639-T1-A | Виробник : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товар відсутній |