![NE85633-T1B-R25-A NE85633-T1B-R25-A](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/4847/417_SOT-23-3.jpg)
NE85633-T1B-R25-A CEL
![NE85633_2SC3356_Rev3.00_6-28-11.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 11.5dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V
Frequency - Transition: 7GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz
Supplier Device Package: 3-MINIMOLD
Part Status: Obsolete
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 138.86 грн |
9000+ | 104 грн |
15000+ | 89.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE85633-T1B-R25-A CEL
Description: SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 11.5dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 100mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 20mA, 10V, Frequency - Transition: 7GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.1dB @ 1GHz, Supplier Device Package: 3-MINIMOLD, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE85633-T1B-R25-A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NE85633-T1B-R25-A |
![]() |
на замовлення 2200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
![]() |
NE85633-T1B-R25-A | Виробник : Renesas |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
NE85633-T1B-R25-A | Виробник : CEL |
![]() |
товар відсутній |