NE68033-T1B-A CEL
Виробник: CELDescription: SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Gain: 8dB
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 35mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V
Frequency - Transition: 10GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Obsolete
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 152.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NE68033-T1B-A CEL
Description: SAME AS 2SC3585 NPN SILICON AMPL, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Gain: 8dB, Power - Max: 200mW, Current - Collector (Ic) (Max): 35mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 10V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 6V, Frequency - Transition: 10GHz, Noise Figure (dB Typ @ f): 1.8dB @ 2GHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NE68033-T1B-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE68033-T1B-A | Виробник : Renesas |
Trans RF BJT NPN 10V 0.035A 3-Pin SOT-23 T/R |
товар відсутній |
|
 |
NE68033-T1B-A | Виробник : CEL |
RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
товар відсутній |