Технічний опис NE58219-T1-A NEC
Description: TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Power - Max: 100mW, Current - Collector (Ic) (Max): 60mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V, Frequency - Transition: 5GHz, Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19).
Інші пропозиції NE58219-T1-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE58219-T1-A | Виробник : Renesas |
 Trans RF BJT NPN 12V 0.06A 3-Pin Ultra Super Mini-Mold T/R |
товар відсутній |
|
 |
NE58219-T1-A | Виробник : CEL |
Description: TRANSISTOR BIPOLAR .9GHZ 3-SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Power - Max: 100mW Current - Collector (Ic) (Max): 60mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 5GHz Supplier Device Package: 3-SuperMiniMold (19) |
товар відсутній |