Технічний опис NE4210S01-T1B NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 12GHz, Gain: 13dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.5dB, Supplier Device Package: SMD, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE4210S01-T1B
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NE4210S01-T1B | Виробник : NEC |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
| NE4210S01-T1B | Виробник : Renesas |
 Trans FET 4V 70mA GaAs HFET 4-Pin Case S01 T/R |
товар відсутній |
||
| NE4210S01-T1B | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 12GHz Gain: 13dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.5dB Supplier Device Package: SMD Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |