Технічний опис NE3517S03-T1C-A California Eastern Laboratories
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 15mA, Frequency: 20GHz, Gain: 13.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.7dB, Supplier Device Package: S03, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3517S03-T1C-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NE3517S03-T1C-A | Виробник : Renesas |
 Trans JFET N-CH 4V T/R |
товар відсутній |
||
 |
NE3517S03-T1C-A | Виробник : CEL |
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S03 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 15mA Frequency: 20GHz Gain: 13.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.7dB Supplier Device Package: S03 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |