Технічний опис NE3514S02-T1C-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, Flat Leads, Current Rating (Amps): 70mA, Frequency: 20GHz, Gain: 10dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.75dB, Supplier Device Package: S02, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3514S02-T1C-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3514S02-T1C-A | Виробник : CEL |
 Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V S02Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Flat Leads Current Rating (Amps): 70mA Frequency: 20GHz Gain: 10dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.75dB Supplier Device Package: S02 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |