Технічний опис NE3510M04-T2-A Renesas
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 97mA, Frequency: 4GHz, Gain: 16dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 15 mA.
Інші пропозиції NE3510M04-T2-A
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NE3510M04-T2-A | Виробник : CEL |
 Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 97mA Frequency: 4GHz Gain: 16dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.45dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 15 mA |
товар відсутній |