Технічний опис NE3509M04-T2-A NEC
Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V M04, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 60mA, Frequency: 2GHz, Power - Output: 11dBm, Gain: 17.5dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.4dB, Supplier Device Package: M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.
Інші пропозиції NE3509M04-T2-A
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
NE3509M04-T2-A | Виробник : Renesas |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
NE3509M04-T2-A | Виробник : CEL |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 60mA Frequency: 2GHz Power - Output: 11dBm Gain: 17.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.4dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |
|
![]() |
NE3509M04-T2-A | Виробник : CEL |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-343F Current Rating (Amps): 60mA Frequency: 2GHz Power - Output: 11dBm Gain: 17.5dB Technology: GaAs HJ-FET Noise Figure: 0.4dB Supplier Device Package: M04 Voltage - Rated: 4 V Voltage - Test: 2 V Current - Test: 10 mA |
товар відсутній |