Продукція > NE3 > NE3508M04-A

NE3508M04-A


RF-Wireless-Brochure.pdf Виробник:

на замовлення 146 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NE3508M04-A

Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM, Packaging: Bulk, Package / Case: SOT-343F, Current Rating (Amps): 120mA, Frequency: 2GHz, Power - Output: 18dBm, Gain: 14dB, Technology: GaAs HJ-FET, Noise Figure: 0.45dB, Supplier Device Package: F4TSMM, M04, Voltage - Rated: 4 V, Voltage - Test: 2 V, Current - Test: 10 mA.

Інші пропозиції NE3508M04-A

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NE3508M04-A NE3508M04-A Виробник : CEL RF-Wireless-Brochure.pdf Description: RF MOSFET GAAS HJ-FET 2V 4TSMM
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-343F
Current Rating (Amps): 120mA
Frequency: 2GHz
Power - Output: 18dBm
Gain: 14dB
Technology: GaAs HJ-FET
Noise Figure: 0.45dB
Supplier Device Package: F4TSMM, M04
Voltage - Rated: 4 V
Voltage - Test: 2 V
Current - Test: 10 mA
товар відсутній