NDT451AN ON Semiconductor
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4000+ | 32.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT451AN ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 7.2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NDT451AN за ціною від 28.08 грн до 148.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDT451AN | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 7.2A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 15 V |
на замовлення 6413 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 3380 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT451AN | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFETs N-Channel FET Enhancement Mode |
на замовлення 7092 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT451AN | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT451AN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 7.2 A, 0.03 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
NDT451AN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.2A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.2A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 3686 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7.2A; 3W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 7.2A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 90mΩ Mounting: SMD Gate charge: 30nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3686 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
NDT451AN | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 7.2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |