на замовлення 27888 шт:
термін постачання 105-114 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 70.89 грн |
| 10+ | 57 грн |
| 100+ | 38.58 грн |
| 500+ | 32.74 грн |
| 1000+ | 26.63 грн |
| 2000+ | 25.1 грн |
| 4000+ | 24.12 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT3055 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V.
Інші пропозиції NDT3055
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| NDT3055 | Виробник : Fairchild |
 |
на замовлення 107500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDT3055 | Виробник : FAIRCHILD |
07+ SOT-223 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| NDT3055 | Виробник : FAIRCHILD |
SOT-223 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
 |
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: No Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|
 |
NDT3055 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 60V 4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
|
|
|
NDT3055 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NDT3055 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4 A, 0.1 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Anzahl der Pins: 4Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
товар відсутній |
|
 |
NDT3055 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|
|
|
NDT3055 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 4A SOT-223-4 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 30 V |
товар відсутній |