![NDT2955 NDT2955](https://download.siliconexpert.com/pdfs/2017/5/11/9/4/37/349/ons_/manual/3sot-223.jpg)
NDT2955 ON Semiconductor
на замовлення 1912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 14.23 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDT2955 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NDT2955 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 2.5 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NDT2955 за ціною від 13.64 грн до 59.34 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 28210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 32394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2002 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
на замовлення 7053 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
на замовлення 3849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 63603 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2.5A; 3W; SOT223 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -2.5A Power dissipation: 3W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.3Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 7053 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 32394 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
NDT2955 | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 3350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 601 pF @ 30 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
NDT2955 Код товару: 60796 |
![]() |
товар відсутній
|