Продукція > ONSEMI > NDSH30120C-F155
NDSH30120C-F155

NDSH30120C-F155 ONSEMI


ndsh30120c-f155-d.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 132nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 450 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+720.81 грн
5+ 677.81 грн
10+ 634.82 грн
50+ 561.89 грн
100+ 483.15 грн
250+ 446.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NDSH30120C-F155 ONSEMI

Description: ONSEMI - NDSH30120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 30 A, 132 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 132nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції NDSH30120C-F155 за ціною від 404.21 грн до 870.79 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
NDSH30120C-F155 NDSH30120C-F155 Виробник : onsemi ndsh30120c-f155-d.pdf Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 1961pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 38A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
на замовлення 9450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+802.12 грн
10+ 697.71 грн
25+ 665.26 грн
100+ 542.11 грн
450+ 472.06 грн
NDSH30120C-F155 NDSH30120C-F155 Виробник : onsemi NDSH30120C_F155_D-3392667.pdf Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 30 A, 1200 V, D3, TO-247-2L
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+870.79 грн
10+ 735.73 грн
100+ 533.14 грн
250+ 511.53 грн
450+ 470.42 грн
900+ 423.03 грн
2700+ 404.21 грн