NDSH10120C-F155 ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Kapazitive Gesamtladung: 46nC
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 316.63 грн |
| 10+ | 297.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NDSH10120C-F155 ONSEMI
Description: ONSEMI - NDSH10120C-F155 - SiC-Schottky-Diode, Einfach, 1.2 kV, 10 A, 46 nC, TO-247, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Kapazitive Gesamtladung: 46nC, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції NDSH10120C-F155 за ціною від 177.71 грн до 425.23 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NDSH10120C-F155 | Виробник : onsemi |
Description: SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 680pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 12A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
NDSH10120C-F155 | Виробник : onsemi |
Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 10 A, 1200 V, D3, TO-247-2L |
на замовлення 446 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|