NCV8440ASTT1G ON Semiconductor
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 33.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NCV8440ASTT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 52V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.69W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NCV8440ASTT1G за ціною від 29.78 грн до 87.07 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 52V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.69W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.69W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.9V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223 (TO-261) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 3.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 59 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 35 V |
на замовлення 8199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : onsemi | MOSFET 2.6A, 52V N-CH, CLAM |
на замовлення 5697 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NCV8440ASTT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 52 V, 2.6 A, 0.095 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 52V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.69W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.095ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
NCV8440ASTT1G | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 59V 2.6A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товар відсутній |